アバランシェ フォト ダイオード。 Si APD UV sensitive アバランシェフォトダイオード

2.5 Gbps InGaAs APD 裏面入射型チップ、チップオンキャリア:(株)ゴ―フォトン:茨城県つくば市

アバランシェ フォト ダイオード

この記事はなが全く示されていないか、不十分です。 して記事の信頼性向上にご協力ください。 ( 2019年4月) アバランシェフォトダイオード(: avalanche photodiode)とは、と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたである。 略称はAPD。 半導体中に大きながあると、の衝突によって発生するが加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。 ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。 この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象をと呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、の受光感度を大きく上昇させることが可能になる。 一般のの価格が数百円~であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている(2007年4月)。 ちなみに、アバランシェとはのこと。 主要なメーカーには、、などが挙げられる。 この項目は、に関連した です。 などしてくださる()。

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JP2004031707A

アバランシェ フォト ダイオード

この記事はなが全く示されていないか、不十分です。 して記事の信頼性向上にご協力ください。 ( 2019年4月) アバランシェフォトダイオード(: avalanche photodiode)とは、と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたである。 略称はAPD。 半導体中に大きながあると、の衝突によって発生するが加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。 ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。 この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象をと呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、の受光感度を大きく上昇させることが可能になる。 一般のの価格が数百円~であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている(2007年4月)。 ちなみに、アバランシェとはのこと。 主要なメーカーには、、などが挙げられる。 この項目は、に関連した です。 などしてくださる()。

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Si APD UV sensitive アバランシェフォトダイオード

アバランシェ フォト ダイオード

P-N接合内の動作イメージ 一般に入射光(エネルギー)がバンドギャップエネルギー(Eg)より大きいと電子は伝導帯に引き上げられ、もとの価電子帯に正孔(ホール)を残す。 また、この現象は素子内のP層、空乏層、N層のいたるところで発生し、空乏層内のいたるところで発生し、空乏層内では電界の作用により電子はN層へ、正孔はP層へそれぞれ加速される。 なお、ここでN層内で発生した電気エネルギーの電子は、P層から移動してきた電子とともにN層伝導帯に終結する。 つまり、フォトダイオード内では、入射光に比例して、P層ではプラスにN層ではマイナスに帯電し、一種の小型発電機を形成している。 フォトダイオードの増幅回路 フォトダイオードを使うための基本回路を取り上げたもの。 ・出力信号は入射信号と位相が逆転する。 ・出力信号が大きい。 フォトダイオードの分類項目 1. 物性的構造による分類・・・PN型、PIN型、フォトアバランシェ型 2. 仕様素材による分類・・・GaAsP、GaP、フォトダイオード、シリコンフォトダイオード、ゲルマニウムフォトダイオード 3. 外観形状による分類・・・丸型、角型、分割型、直線型、異形型 4. 機能による分類・・・位置検出用(PSD)、光計測用、リニア用、大電力用センサ無ジュール、センサアレー 5. 応答特性による分類・・・低速型、高速型、超高速型 6.波長感度による分類・・・紫外線用、赤外線用、可視光線用、広帯域用 7.パッケージによる分類・・・フラットパッケージ型、メタルケース型、セラミックケースがタ、樹脂モールド型 8.用途による分類・・・光通信用、フォトカプラー用、カメラ用、光ディスク用、エンコーダ用、計測用 9. 補助部材による分類・・・フィルタ付、レンズ付き、コネクタ付き、アンプ付き フォトダイオードの物的構造による分類 P-Nフォトダイオード・・・拡散型、低容量拡散型、PNN+型 PINフォトダイオード・・・P層とN層の間に抵抗の大きいI層(空乏層)を作り、これによって接合容層を極端に小さくしたもの。 ショットキー型フォトダイオード・・・N型半導体の表面に金(Au)などの薄い蒸着膜を形成し、ショットキー効果によるP-N接合を形成したもの。 この種の素子は表面から接合部までの距離が短く作られているため、可視光から紫外線領域までの広い波長感度を有します。 アバランシェ型フォトダイオード・・・P-N接合に逆バイアスを加え、空乏層内に高電界を与えたものであり、これによって光キャリアが加速され、物質内の原子に次々と衝突し、二次キャリアを生成する、いわゆるアバランシェ現象を利用したもの。

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